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重大突破!我所成功研制新型红外探测短波芯片
近日来,全国电科11所焦三视图技术应用技术革新管理团队获得成功制造技术硅基碲镉汞p-on-n型红外短波观测器电子器件。 “硅基碲镉汞红外侦测器典型案例任务热度为液氮热度77开尔文(-196摄氏),一种恒温任务生活环境极大程度限止了他们的容积、质量管理、额定功率、人工成本的掌握,最后限止了红外侦测器的软件。”工艺中医专家写出,11所焦剖面工艺科技攻关团队协作快速扶贫攻坚物料及电子器件关键因素工艺,分离纯化的创新红外短波侦测器集成ic在77开尔文热度下能充分。在150开尔文(-123摄氏)热度所填样能充分。 某项技術水平击破解决处理了制衡短波大面阵技術水平發展的问题,为电源管理指标硅基碲镉汞遥测器技術水平發展确定了基础理论。事后,技術水平科技攻关团队协作将延续特色化击破,进那步提升自己遥测器基带基带芯片性指标,尽快的保持更电源管理指标红外遥测器基带基带芯片的成功研制。